Transistor
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IRFHS9351TRPBFPlus
Pertes de conduction réduites Permettent une meilleure dissipation thermique Densité de puissance
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IRLML0030TRPBFPlus
Faible perte de commutation Compatibilité multi-fournisseurs Fabrication plus facile Respectueux de
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Transistor à effet de champ 2N7002ET1GPlus
Le 2N7002ET1G est un MOSFET à petit signal de type transistor à effet de champ à canal N, doté
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Transistors LDMOS de puissance RF MRFE6VP5300NPlus
Le MRFE6VP5300N est un MOSFET latéral à transistors LDMOS de puissance RF à large bande
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MOSFET de puissance MOSFET de puissancePlus
Le STR2P3LLH6 est un transistor à effet de champ MOSFET de puissance à canal P. Cet appareil
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ISL9V3040S3STPlus
L'ISL9V3040S3ST est un IGBT à allumage par canal N EcoSPARK® 300 mJ, 400 V et il s'agit également
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IRF4905PBFPlus
Le transistor MOSFET IRF4905PBF est un composant électronique très efficace avec une résistance à
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IRF3205STRLPBFPlus
L'IRF3205STRLPBF est un puissant transistor MOSFET doté d'une technologie de processus avancée,
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BTA12-600BRGPlus
Le BTA12-600BRG est un thyristor de haute qualité bien adapté aux applications de commutation CA à
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