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KLMAG1JETD-B041Plus
Le Samsung KLMAG1JETD-B041 est un périphérique de stockage flash intégré eMMC 5.1 de 32 Go, intégrant une mémoire flash NAND haute-performance avec un contrôleur eMMC avancé dans un boîtier BGA
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KLM4G1FETE-B041Plus
Le Samsung KLM4G1FETE-B041 est un périphérique de mémoire flash intégré eMMC 5.1 de 4 Go conçu pour les applications de stockage compactes, à faible-consommation et à haute-fiabilité. Il intègre NAND
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K4B4G1646E-BMMAPlus
The Samsung K4B4G1646E-BMMA is a 4Gb DDR3 SDRAM device optimized for high-speed, low-power memory applications.It provides a x16 data width and is widely used in consumer electronics, industrial
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H9HCNNNBKUMLXR-NEEPlus
Le SK hynix H9HCNNNBKUMLXR-NEE est un périphérique de mémoire uMCP (UFS + LPDDR4X MCP) intégré qui combine un stockage flash UFS hautes-performances avec une DRAM LPDDR4X à faible-consommation dans
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K4F6E3S4HM-THCLPlus
Le Samsung K4F6E3S4HM-THCL est un dispositif SDRAM LPDDR4 de 24 Go conçu pour les applications mobiles et embarquées à hautes-performances et à faible-consommation. Il offre une bande passante
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MT53E512M32D1NP-046Plus
Le Micron MT53E512M32D1NP-046 est un dispositif SDRAM LPDDR4X (DDR4X faible consommation) de 16 Go optimisé pour les applications à haute-performances et efficacité énergétique-efficaces. Il est doté
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MT53D512M32D2DS-053Plus
Le Micron MT53D512M32D2DS-053 est un dispositif SDRAM LPDDR5 de 16 Go conçu pour les applications hautes-performances et faible-consommation. Il offre une bande passante améliorée, une consommation
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TM-002-M-01Plus
TM-002-M-01
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TM-001-D1-01Plus
TM-001-D1-01
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DSHP01TS-SPlus
DSHP01TS-S




