Principales fonctionnalités
Densité de mémoire :16 Go (Gigabits)
Organisation:512 M x 32 (configuration x32)
Technologie:SDRAM LPDDR4X
tension:
VDD2 :1,1 V (noyau)
VDDQ :0,6 V (E/S, mode LPDDR4X)
Interface:Faible-puissance double-débit de données-
Débit de données :Jusqu'à4266 MT/s(en fonction du bac de vitesse)
Emballer:FBGA
Très faible consommation d'énergiepour les conceptions alimentées par batterie-et soumises à des contraintes thermiques
Deep Power-Vers le bas et auto-rafraîchissement-RafraîchissementModes
Endurance et fiabilité :Conçu pour un fonctionnement intégré-à long terme
étiquette à chaud: mt53e512m32d1np-046, Chine mt53e512m32d1np-046 fournisseurs, fabricants
