DRAM LPDDR4X
Mémoire à large bande passante optimisée pour les SoC mobiles
Débits de données jusqu'à4266 Mbit/s
E/S basse-tension pour une meilleure efficacité énergétique
Compatible avec les modes de-mise hors tension profonde (DSM, PASR)
Flash NAND UFS
Interface UFS-haute vitesse prenant en charge la lecture/écriture séquentielle
E/S aléatoires améliorées par rapport à eMMC
Prend en charge les fonctionnalités avancées :
File d'attente des commandes
Changement de vitesse à grande-vitesse
Modes-faible consommation
L'ECC sur-la matrice et le-nivellement à l'usure garantissent une longue durée de vie
étiquette à chaud: h9hcnnnbkumlxr-nee, Chine h9hcnnnbkumlxr-nee fournisseurs, fabricants
