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Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour lesquels les PowerMOSFET HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.